A . Caractéristiques du processus de fabrication
1. processus à basse température
La température de dépôt du silicium amorphe est inférieure à 200 degrés, ce qui réduit la consommation d'énergie et la contrainte thermique, et les tranches de silicium ultra-minces (comme celles en dessous de 100 μm) peuvent être utilisées .
2. Équipement clé
PECVD: Il est utilisé pour déposer des couches de silicium amorphes et nécessite une uniformité élevée .
PVD / RPD: Pour la préparation des membranes TCO, RPD (dépôt de faisceau d'ions) peut réduire les dommages et améliorer la conductivité .
3. Tendance sans argent
Remplacez la pâte d'argent dans l'impression d'écran par une technologie de cuivre en cuivre ou en cuivre en argent pour réduire les coûts .
B . Application de marché
Il pénètre principalement dans des modules de haute puissance (700W +) et des stations électriques distribuées haut de gamme . La capacité de production globale était d'environ 30 gw en 2023, et il devrait expliquer plus de 15% par 2025.
C . Direction future de développement
1. Technologie d'empilement
Combiné avec Perovskite (tandem HJT-Perovskite), l'efficacité théorique peut dépasser 30% .
2. Innovation d'équipement et de matériel
Augmentez le taux de dépôt PECVD et développez des matériaux alternatifs à faible coût pour TCO .
3. Effet d'échelle
Après l'expansion de la capacité de production, le coût devrait être à égalité avec celui de PERC, favorisant la popularisation du marché .
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