L'hétérojonction avec des modules solaires à couche mince intrinsèque (HJT pour les courts est une introduction détaillée La structure et le mécanisme de travail à l'hétérojonction:
1. Structure de base:
Substrat de silicium cristallin de type N: En tant que couche d'absorption, il s'agit généralement de silicium monocristallin de haute pureté et présente les avantages de la vie à faible durée de vie et de la décomposition induite par la lumière (LID) .
Film mince de silicium amorphe intrinsèque (ia-si: h): déposé des deux côtés de la tranche de silicium pour passiver les défauts de surface et réduire la recombinaison des porteurs .
Couches de silicium amorphe dopées: type P (côté avant) et n-type (côté arrière) Les couches de silicium amorphes forment une hétérojonction, construisant un champ électrique intégré pour séparer les porteurs photogénérés .
Oxyde conducteur transparent (TCO): comme ITO, enduit sur une couche de silicium amorphe, améliore la conductivité latérale et réduit la réflexion de la lumière .
Electrode de porte métallique: collecte le courant, avec une conception de fil de grille fin avec une faible vitesse de blocage de lumière .
2. Mécanisme de travail:
After light irradiation, the silicon substrate absorbs photons to generate electron-hole pairs, which separate under the action of the built-in electric field and output current through the electrodes. The amorphous silicon layer passivates the surface and promotes carrier transport. The high open-circuit voltage (Voc) of the heterojunction is the key to efficiency amélioration .
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